Физическое окружение вычислительной техники



         

Новые типы динамической памяти - часть 4


Эти фазы повторяются последовательно для каждой ячейки в считываемой строке. В случае с EDO-памятью временные параметры (а следовательно, и быстродействие) улучшаются за счет исключения циклов ожидания в фазе готовности данных. По некоторым данным, EDO DRAM работает быстрее FPM DRAM примерно на 20—25%. Однако при использовании кэш памяти второго уровня (L2) быстродействие возрастает только на 5%. Стоит отметить, что EDO-память дороже обычных DRAM на 7—10%. Именно поэтому в настоящее время EDO-память рекомендуется использовать в недорогих системах без кэш-памяти, что в данном случае достаточно эффективно. Кроме того, оправдано применение EDO-памяти и в многозадачных системах.

Эта история не имеет конца. Я всего лишь надеюсь дать некоторое представление о том, как выглядит ситуация в настоящий момент. Через несколько лет, без сомнения, перед нами предстанет совершенно иная картина чипов памяти. Можно быть уверенным только в одном, — это будет более быстрая, более дешевая и более вместительная память. Естественно, программы будущего наверняка будут требовать больше места и скорости, чем мы сможем им предоставить.




Содержание  Назад  Вперед