Аппаратные средства ЭВМ. Компьютерные сети



         

Новые типы динамической памяти - часть 3


Кроме того, из всех созданных на сегодняшний день технологий эта обладает наибольшим потенциалом по скорости. Однако этот потенциал стоит недешево. RDRAM должна соединяться с CPU через очень специфическую шину, которая не может быть слишком длинной. Тактируемая частотой 250 МГц 9-разрядная RDRAM достигает пиковой скорости передачи 500 Мбайт/с, а 2 ГГц – 4 Гбайт/с. Вообще говоря, Rambus-архитектура состоит из трех частей: Rambus-интерфейса, Rambus-канала и Rambus-микросхем. Вследствие использования высоких тактовых частот серьезные требования предъявляются к печатным платам и соединениям. Подобная память, впервые разработанная американской компанией Rambus, в настоящее время выпускается такими компаниями, как NEC, Fujitsu и Toshiba. Пройдет время, прежде чем мы увидим RDRAM в качестве основной памяти PC. Несмотря на это, Intel обратилась к RDRAM как к решению проблемы нехватки памяти компьютера в недалеком будущем, а так как Intel является основным производителем материнских плат для PC, можно ожидать претворения этой затеи в жизнь.

Стоит отметить, что существуют и другие типы памяти, причем более или менее экзотические. Например, в MDRAM (Multibank DRAM) вся память делится на 10 маленьких банков, время доступа к которым существенно меньше времени доступа к одному большому: 15 не против 50 не. Тем не менее, по оценкам экспертов, в ближайшее время не следует ожидать ухода от массового использования в персональных компьютерах так называемой EDO (Extended Data Out) DRAM или ее разновидности BEDO (Burst EDO) DRAM. Во-первых, она обеспечивает более высокую скорость передачи (особенно в пакетном режиме), а во-вторых, полностью совместима по выводам с современными SIMM-модулями DRAM. В отличие от обычных микросхем DRAM в EDO DRAM добавлен набор регистров-"защелок", благодаря которым данные на выходе могут удерживаться даже в течение следующего запроса к микросхеме. Такого эффекта можно добиться на обыкновенных DRAM только в режиме чередования адресов. Напомним, что в любом обращении к памяти можно выделить три фазы: начало доступа; период, когда данные становятся действительными, и непосредственно передача.


Содержание  Назад  Вперед